تبلیغات
نیو ول - مطالب مقاله در زمینه الکترونیک

نیو ول

منو

نویسندگان

دانلود نرم افزار Silvaco2014 - لینک مستقیم

سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی است. معادلات مربوط به افزاره های ساخته شده توسط ن ...

دریافت فایل
ـنقاشـ

مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم

در این محصول مقاله‌ای با "عنوان ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم" را برایتان ترجمه کرده‌ایم و به منظور دانلود و خرید در اختیاراتان قرار داده‌ایم.
 دانلود مقاله انگلیسی

نمونه ترجمه:

چکیده: در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم، که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند  می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت ION/IOFF و شیب آستانه این نوع ترانزیستور در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد. در این جا، ترانزیستورهای  اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت  ۱۰۹ عملکرد بهینه‌ای را در ION/IOFF از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFET شبیه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFET یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.


کلیدواژه‌ها: FET تونل بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.

خرید این محصول با قیمت 10 هزارتوامن

انجام پروژه و پایان نامه در زمینه تقویت کننده، LNA و مدارات آنالوگ , LDO

انجام پروژه و پایان نامه برای رشته برق و الکترونیک و بازتولید مقالات علمی در زمینه تقویت کننده، LNA و مدارات آنالوگ
با استفاده از نرم افزار

Cadence Virtuoso

شماره تماس: 09210360948 سرهندی
ادامه مطلب

پروژه دانشجویی در زمینه سلولهای خورشیدی


سلول فتوولتائیک (به 
انگلیسیphotovoltaic cell)، یک قطعه الکترونیکی حالت جامد است که درصدی از انرژی نور خورشید را، مستقیماً توسط اثر فوتوولتاییک؛ که پدیده‌ای فیزیکی و شیمیایی است، به الکتریسیته تبدیل می‌کند.

این پروژه شامل ترجمه بخشی از کتاب Principles of Solar Cells, LEDs and Diodes: The role of the PN junction میباشد که فایل ترجمه شده دارای 29 صفحه میباشد و عناوین زیر در آن پرداخته شده است:

  1. جذب نور
  2. تابش خورشیدی
  3. طراحی و آنالیز سلولهای خورشیدی
  4. تولید نیرو به عنوان تابعی از عمق
  5. راندمان سلولهای خورشیدی
ایمیل و شماره موبایل خود را به درستی وارد کنید تا این که اطلاعات خریدتان در اختیارتان قرار گیرد
ادامه مطلب

جنس بوته استفاده شده در فرایند چکرالسکی

بوته، بوته چینی یا کوزه چینی ابزاری آزمایشگاهی است که برای حرارت دادن مواد تا دماهای بالا (بیش از ۱۰۰۰ درجه سانتی گراد) ساخته شده. بوته ظرفی به شکل مخروط ناقص است که از ماده‌ای نسوز، عموماًً گرافیت یا کاربید سیلیکون، ساخته شده باشد و برای استفاده در دمای بالا به کار رود.

انتخابهای بسیار اندکی برای جنس بوته در فرایند چوکرالسکی وجود دارد، که معروفترین انها کوارتز است اما چنین بوته‌هایی توسط سیلیکن مذاب به آرامی حل شده و باعث ایجاد ناخالصی اکسیژن میگردد. قسمت اعظم اکسیژن به صورت SiO بخار می‌شود. اما تعدادی وارد کریستال در حال رشد می‌شوند. کوارتز در واقع نوعی شیشه است و فرمول شیمیایی آن SiO2 است، که در مقابل دمای بالا نرم می‌شود. پس نیاز به یک نوع محافظ دارد، گرافیت برای این مساله بسیار مناسب است زیرا توانایی تحمل دمای بسیار بالا را دارد که چنین محافظی[1] باعث می‌شود که مقداری کربن نیز به عنوان ناخالصی وارد کریستال گردد.

نا خالصی اکسیژن می‌تواند مزایایی هم داشته باشد با انتخاب دقیق شرایط بازپخت می‌توان باعث رسوب اکسیژن شد. این منجر به به دام افتادن ناخالصی‌های فلزی در فرایندی به نام gettering می شود. در واقع فرایندی است که در آن ناخالصی‌های را خارج می‌کنند. همچنین اکسیژن می‌تواند باعث مستحکم شدن ویفر سیلیکنی ‌گردد، همچنین به صورت تجربی اثبات شده که سختی تشعشعی کریستال ایجاد شده توسط فرایند چوکرالسکی بهتر می باشد که باعث می‌شود که حسگرهای ساخته شده توسط سیلیکن‌های چوکرالسکی، گزینه مناسبی برای آزمایشات تجربی انرژی بالا محسوب گردند.



[1] susceptor