تبلیغات
نیو ول - مطالب الکترونیک

نیو ول

منو

نویسندگان

دانلود نرم افزار Silvaco2014 - لینک مستقیم

سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی است. معادلات مربوط به افزاره های ساخته شده توسط ن ...

دریافت فایل
ـنقاشـ

مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم

در این محصول مقاله‌ای با "عنوان ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم" را برایتان ترجمه کرده‌ایم و به منظور دانلود و خرید در اختیاراتان قرار داده‌ایم.
 دانلود مقاله انگلیسی

نمونه ترجمه:

چکیده: در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم، که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند  می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت ION/IOFF و شیب آستانه این نوع ترانزیستور در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد. در این جا، ترانزیستورهای  اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت  ۱۰۹ عملکرد بهینه‌ای را در ION/IOFF از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFET شبیه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFET یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.


کلیدواژه‌ها: FET تونل بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.

خرید این محصول با قیمت 10 هزارتوامن

انجام پروژه و پایان نامه در زمینه تقویت کننده، LNA و مدارات آنالوگ , LDO

انجام پروژه و پایان نامه برای رشته برق و الکترونیک و بازتولید مقالات علمی در زمینه تقویت کننده، LNA و مدارات آنالوگ
با استفاده از نرم افزار

Cadence Virtuoso

شماره تماس: 09210360948 سرهندی
ادامه مطلب

چرا جهت ساخت اکسید گیت به جای سیلیسیمِ کریستالی از پلی سیلیسیم استفاده می کنیم؟

گیتهای فلزی زمانی استفاده می‌شد که ولتاژ گیت به اندازه 3-5 ولت بود، زمانی که ولتاژ گیتها پایین آمد، تولید کنندگان به فکر استفاده از پلی سیلیکن افتادند.

یکی از دلالیل استفاده از پلی این است که پس از انجام فرایند آلایش ماده باید تحت حرارت قرار گیرد، گیتهای فلزی ممکن است در این حرارت ذوب گردند، در حالی که پلی سیلیکن ذوب نمیگردد.

دومین دلیل این است که ولتاژ کاری ترانزیستور وابسته به تفاوت تابع کار گیت و کانال نیمه‌هادی است، استفاده از فلز باعث می‌گردد که ولتاژ آستانه در مقایسه با زمانی که از پلی سیلیکن استفاده می‌شود بیشتر باشد. زیرا که پلی سیلیکن می‌تواند از ترکیبات مشابه کانال ساخته شده باشد.

ادامه مطلب

برچسب ها